關于寬禁(jin)帶半導體SiC襯底及外延(yan)片研發及產業化生產線環評文件的公示
為適(shi)應市場需求(qiu)，以求(qiu)較(jiao)好的經濟效益和社會效益，合盛硅業股份有限公司決(jue)定投資20000萬元，建設寬禁帶(dai)半導體SiC襯(chen)底及外(wai)延片(pian)研發及產業化生產線。根據立項文件，項目名稱為寬禁(jin)帶半導體(ti)SiC襯(chen)底及外延片研發(fa)及產業化生產線，涉及的工藝包括：碳(tan)粉純化、原料制備，碳(tan)化硅晶(jing)體生長、切(qie)割、晶(jing)片(pian)加(jia)工及檢(jian)測，SiC同質外延工藝等(deng)。
由于企業場地限制，本次環評只涉及該立項文件中的碳化硅原料制備，因此實際投資為500萬(wan)元。其余工(gong)序不包括在本次環評中，后期企業再(zai)另行申報項目。
在《寬禁帶半導體(ti)SiC襯(chen)底及外延片研(yan)發及產(chan)業化生產(chan)線環(huan)境(jing)影(ying)響報(bao)告表》審(shen)批前進行環境影(ying)響評價文件公示。
|
序號 |
項目名稱 |
建設地(di)點 |
建設單位 |
環評機構 |
附件鏈接 |
|
1 |
寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線 |
浙江省嘉(jia)興市嘉興(xing)港(gang)區(qu)中國化工新材(cai)料(liao)（嘉興）園(yuan)區瓦山路200號(hao) |
合盛硅業(ye)股份有限公(gong)司 |
浙江中藍環境科技有(you)限公(gong)司 |
附件1：寬禁帶半導(dao)體SiC襯(chen)底(di)及外(wai)延片(pian)研發及產業化(hua)生(sheng)產線環(huan)評報告全本 |
公示時間：2021年10月(yue)26日
報告查(cha)閱聯(lian)系單位：合盛硅業股份(fen)有限公司
報告查閱聯系人：陳國清
聯系電(dian)話(hua)：
通訊地址：浙江省嘉(jia)興市嘉(jia)興港區(qu)中國(guo)化(hua)工(gong)新(xin)材料（嘉興）園區瓦山路200號
公(gong)眾可(ke)以信函、傳真或其他(ta)方式，向我公(gong)司(si)咨詢相(xiang)關(guan)信息，并提出有關(guan)意見(jian)和建議(yi)。
